BDAR

Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Slapukų politika Privatumo politika

 


Spausdinti

Rezultatai ir statistika

Projekto 09.3.3-LMT-K-712-02-0012 "Aukštųjų energijų spinduliuotėmis apšvitintų AlGaN-GaN darinių elektrinių ir scintiliacinių charakteristikų tyrimas" įgyvendinimo metu sukurta produkcija

Vykdytojas Vilniaus universitetas
Produkto sritis Švietimas ir mokslas
Produkto rūšys Tyrimai, studijos

Projekto idėja yra grindžiama AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų modifikacija, nulemta susidarančių radiacinių defektų, tuo būdu praplečiant radiacijos sensorių radiacinio atsparumą ateities CERN eksperimentams. Projekto tikslas - atskleisti radiacinių defektų AlGaN-GaN dariniuose susidarymo ir modifikacijų įtaką, kintant įtėkiui, AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų ir elektrinių charakteristikų transformacijoms, kurios pasitelkiamos aukštųjų energijų spinduliuočių detektavimui. Projekto įgyvendinimo metu siekta išnagrinėti liuminescencijos spektrų persiskirtymus keičiant hadronų įtėkį įvairaus storio HVPE, MOCVD bei ammono technologijos AlGaN-GaN dariniuose. Praktinis šio projekto naujumas siejamas su daugiasluoksnių darinių, kuriuose yra didelis savitųjų defektų tankis, charakterizavimo metodologijos tobulinimu, kombinuojant įvairias spektrines ir relaksacijos parametrų įvertinimo metodikas. Identifikuoti defektai, jų parametrų vertės, galėtų būti pasitelkti analizuojant naujai sintezuojamas medžiagas, o liuminescencinės charakteristikos būtų vertingos struktūrų kokybės kontrolei.

Projekto įgyvendinimo metu pasiekti tyrimų rezultatai skelbiami mokslinėje produkcijoje.

Mokslo straipsniai:

  1. J. Pavlov, T. Čeponis, L. Deveikis, T. Heikkinen, J. Raisanen, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, F. Tuomisto, E. Gaubas. Spectroscopy of defects in neutron irradiated ammono-thermal GaN by combining photoionization, photoluminescence and positron annihilation techniques. (Lithuanian Journal of Physics, Vol 59 No 4 (2019)).
  2. J. Pavlov, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas. Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation. (Journal of Instrumentation, Volume 15, January 2020).
  3. T. Čeponis, K. Badokas, L. Daveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, V. Kovalevskij, S. Stanionytė, G. Tamulaitis, E. Gaubas. Evolution of Scintillation and Electrical Characteristics of AlGaN Double-Response Sensors During Proton Irradiation. (Sensors (Basel). 2019 Aug; 19(15): 3388.).

Mokslo populiarinimo straipsnis:

Dvigubo atsako AlGaN radiacijos detektoriai naujos kartos dalelių greitintuvams. (Technologijos.lt., 2019-10-14).