Projekto 09.3.3-LMT-K-712-02-0149 "Laidumo juostos trūkio nustatymas terehercinių impulsų sužadinimo spektroskopijos metodu" įgyvendinimo metu sukurta produkcija
| Vykdytojas | Fizinių ir technologijos mokslų centras |
| Produkto sritis | Švietimas ir mokslas |
| Produkto rūšys | Tyrimai, studijos |
Projekto vykdytojų teigimu, dauguma šiuolaikinių optoelektroninių prietaisų yra daromi iš skirtingo tipo medžiagų. Tokio tipo sandūrose atsiranda, taip vadinami, laidumo ir valentinės juostos trūkiai. Jų dėka formuojamos kvantinės duobės, jie sudaro potencialinius barjerus puslaidininkyje esantiems krūvininkams. Todėl projektuojant puslaidininkinius prietaisus šių dydžių žinojimas yra labai svarbus. Projekto tikslas – sukurti metodiką, kuria būtu galima nustatyti laidumo juostos trūkio energiją dviejų skirtingų puslaidininkių sandūroje. Kadangi THz impulsų generaciją yra smarkiai įtakojama puslaidininkio juostinės sandaros, įvairių barjerų ir elektrinių laukų susidarančių judviejų sandūroje, ji gali būti efektyviai panaudota puslaidininkių ir jų darinių tyrimams. Darbe buvo pasinaudota THz sužadinimo spektroskopijos metodu minėtiems dydžiams nustatyti. Pradžioje, siekiant atskirti laidumo juostos šoninio slėnio ir laidumo juostos trūkio įtaką THz sužadinimo spektre, buvo nustatyta tiriamų puslaidininkių laidumo juostos šoninio slėnio energija didelio storio puslaidininkiniuose sluoksniuose. Tikėta, kad bandinyje esantys elektriniai laukai gali smarkiai įtakoti eksperimento rezultatus, todėl kitame etape buvo numatoma paruošti bandinius, kuriuose paviršinis ir heterosandūroje esantys elektriniai laukai būtų minimalūs arba jų įtaką eksperimento rezultatams būtų maža. Tai atlikus buvo pereita prie kito, paskutinio etapo, kuriame buvo nustatytas laidumo juostos trūkis tiriamų medžiagų heterosandūroje bei išsiaiškinta, kaip šis dydis priklauso nuo papildomų atomų kiekio.
Atliktų tyrimų metu gauti rezultatai viešinami sukurtoje mokslinėje produkcijoje.
Mokslo straipsniai:
- R. Norkus, A. Arlauskas, A. Krotkus. Terahertz excitation spectra of InP single crystals. (Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 075010 (5pp)).
- S. Stanionytė, A. Vailionis, V. Bukauskas, S. Tumėnas, A. Bičiūnas, A. Arlauskas, R. Butkutė, A. Krotkus. Thick epitaxial GaAsBi layers for terahertz components: the role of growth conditions. (Lithuanian Journal of Physics, Vol. 58, No. 1, pp. 126–134 (2018)).
Moksliniai pranešimai:
- A. Arlauskas, V.Pačebutas, R. Butkutė, R. Norkus, B. Čechavičius, E. Pozingytė, A.Krotkus. Semiconductor band structure characterization by terahertz excitation spectroscopy. (43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 9-14 September 2018, Nagoya, Japan).
- A. Arlauskas, V. Pačebutas, R. Butkutė, R. Norkus, B.Čechavičius, E. Pozingytė, A. Krotkus. THz excitation spectroscopy for semiconductor band structure characterization. (Conference ,,Advanced Properties and Processes in Optoelectronic Materials and Systems - APROPOS-16", 10-12 October 2018 Vilnius, Lithuania)