Finansavimas

Projekte bus tiriami SiGe HBT aukšto dažnio tranzistoriai, galios cėlės, siekiant sukurti ir pagaminti galios stiprintuvus, veikiančius mm-bangų diapazone. Aukšto dažnio SiGe HBT galios tranzistorių išėjimo galios, pridėtinio efektyvumo, galios stiprinimo, tieškumo bei stabilumo tyrimas skirtinguose dažniuose, gardelės temperatūrose (4°K iki 400°K). Kompaktinio tranzistoriaus modelio (CM) lygčių vystymas, remiantis matavimo duomenimis, įskaitant naujai pasireiškiančius efektus ypač žemose kriogeninėse temperatūrose. Bus tiriami SiGe HBT išėjimo galios netiesiškumo šaltiniai, panaudojant sukalibruotą kompaktinį modelį bei galios matavimus kriogeninėse temperatūrose. Bus atliekama aukšto dažnio galios cėlių geometrinės konfiguracijos optimizacija ir kiti tyrimai maksimaliam galios stiprinimo tiesiškumui išgauti. Panaudojant gerai sukalibruotą CM bus sukurti ir pagaminti kaskodinės konfiguracijos galios stiprintuvai, veikiantys W- ir G-dažnių juostose. Bus atlikti galios stiprintuvų tiesiškumo matavimai mm-bangų diapazone, panaudojant prieinamus matavimo metodus. Kadangi radarų pirminę grandinę sudaro ir imtuvai, kuriems triukšminės charakteristikos yra itin svarbus parametras. Akštadažnis (HF) triukšmas riboja analoginių priėmimo sistemų pirminių grandinių tokių, kaip bevielės komunikacinės priėmimo sistemos, mažatriukšmiai stiprintuvai (LNA), mažos galios stiprintuvai, mikseriai, osciliatoriai ir sensoriai, automobiliniai radarai ir kiti jautrūs radiometrai skirti tolimos erdvės tyrimams. Numatoma atlikti vidinių triukšmo šaltinių analizę, koreliuoto šratinio triukšmo modelio triukšmo delsos tyrimus, temperatūrinę bei dažninę priklausomybę. Panaudojant CM ir kompaktinį koreliuoto šratinio triukšmo modelį bus sukurti mažatriukšmiai stiprintuvai, veikiantys W- ir G- dažnių juostose. Pagamintų stiprintuvų triukšmo parametrai bus išmatuoti mm-bangų ruože.