Finansavimas

Podoktorantūros studijų projekto idėja yra grindžiama AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų modifikacija, nulemta susidarančių radiacinių defektų, tuo būdu praplečiant radiacijos sensorių radiacinio atsparumą ateities CERN eksperimentams. Projekto tikslas būtų stažuotojo kvalifikacijos kėlimas siekiant atskleisti radiacinių defektų AlGaN-GaN dariniuose susidarymo ir modifikacijų įtaką, kintant įtėkiui, AlGaN-GaN scintiliatorių liuminescencijos spektrų ir elektrinių charakteristikų transformacijoms, kurios pasitelkiamos aukštųjų energijų spinduliuočių detektavimui. Šio projekto tyrimų naujumas sietinas su defektų spektroskopijos metodologijos tiek kontaktiniais, tiek nesąlytiniais būdais sukūrimu ar tobulinimu, siekiant detaliai atskleisti poliarizacinių efektų įtaką tokių struktūrų funkcinėms savybėms, įvairių AlGaN-GaN sluoksnių įtaką scintiliatorių atsako signalų formavimesi. Projekto uždavinys išnagrinėti liuminescencijos spektrų persiskirtymus keičiant hadronų įtėkį įvairaus storio HVPE, MOCVD bei ammono technologijos AlGaN-GaN dariniuose. Numatomos tokios dvi veiklos: 1) ištirti GaN/Si ir GaN/safyro struktūrų buferinių AlGaN, AlN sluoksnių elektrinių ir liuminescencinių charakteristikų kaitą, varijuojant aukštųjų energijų protonų įtėkį ir siekiant atskleisti specifines tokių darinių charakteristikas sparčiosios nano-elektronikos prietaisų ir spinduliuočių sensorių formavimui; 2) ištirti scintiliatorių signalų kaitą varijuojant AlGaN-GaN.struktūrų storį ir protonų bei neutronų įtėkį. Praktinis šio projekto naujumas būtų sietinas su daugiasluoksnių darinių, kuriuose yra didelis savitųjų defektų tankis, charakterizavimo metodologijos tobulinimu, kombinuojant įvairias spektrines ir relaksacijos parametrų įvertinimo metodikas. Identifikuoti defektai, jų parametrų vertės, galėtų būti pasitelkti analizuojant naujai sintezuojamas medžiagas, o liuminescencinės charakteristikos būtų vertingos struktūrų kokybės kontrolei.