BDAR

Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Slapukų politika Privatumo politika

 


Spausdinti

Finansavimas

Cheminio legiravimo įtaka tiesiogiai ant Si(100) sintezuoto grafeno struktūrai ir savybėms

Nr. 09.3.3-LMT-K-712-22-0125

Paraiškos būsena:
Baigtas įgyvendinti
Vykdytojas Kauno technologijos universitetas
Savivaldybė
Priemonė MOKSLININKŲ, KITŲ TYRĖJŲ, STUDENTŲ MOKSLINĖS KOMPETENCIJOS UGDYMAS PER PRAKTINĘ MOKSLINĘ VEIKLĄ
Prioritetas 9 PRIORITETAS. Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas
Kvietimo kodas 09.3.3-LMT-K-712-22

Žymiausia 2D nanomedžiaga, grafenas, pasižymi milžiniškais elektronų ir skylių judriais, krūvininkų dauginimu, lankstumu, skaidrumu, cheminiu inertiškumu. Tai yra puiki Šokio kontakto medžiaga. Todėl grafeno ir silicio Šotkio kontakto (heterosandūros) infraraudonosios (IR) spinduliuotės fotojutikliai (fotodiodai) pasižymi itin dideliu jautrumu (per eilę didesniu nei geriausių metalo/Si Šotkio kontakto fotodiodų). Grafeno Šotkio kontaktai ant Si formuojami pernešimo būdu. Grafenas užauginamas ant Cu ar Ni folijos arba ekstrafoliuojamas. Toliau vykdomas ilgas grafeno pernešimo ant puslaidininkio ar dielektriko paviršiaus procesas. Tai komplikuota ir sudėtinga technologija, labai apsunkinanti grafeno/Si kontakto savybių kontrolę. Neseniai parodyta, kad grafeno sluoksnį galima tiesiogiai užauginti ant dielektrinių arba puslaidininkinių pagrindų. Tačiau kol kas šios technologijos yra užuomazgoje. Tarkime, visai nėra tirtas tiesiogiai sintezuoto grafeno legiravimas p tipo priemaišomis. Todėl šiame projekte bus tiriama tiesiogiai sintezuoto grafeno p tipo legiravimo, naudojant HNO3, įtaką grafeno struktūrai, varžai ir grafeno/Si(100) diodo elektrinėms ir fotovoltinėms savybėms. Projekte tikslas yra tiesiogiai ant Si(100) sintezuoto grafeno cheminis legiravimas p tipo priemaišomis.


Paraiškų informacija

Paraiškos gavimo data: 2020-07-29
Nr. Vertinimo kriterijus Finansavimo statusas Vertinimo balas
1. Tinkamumo vertinimas Taip (2020-10-08)
2. Naudos ir kokybės vertinimas Taip (2020-10-08) 76.00
Paraiškoje nurodyta projekto vertė: 2 687,04 Eur
Prašoma finansavimo suma: 2 687,04 Eur

Sutarties informacija

Projekto veiklų įgyvendinimo pabaiga: 2021-04-30
Sutarties pasirašymo diena: 2020-11-03
Sutarties galiojimo pabaiga: 2021-06-14
Projekto išlaidų suma, Eur Finansavimas, Eur Apmokėta išlaidų suma, Eur Išmokėtas finansavimas, Eur
2 687,04 2 687,04 2 687,04 2 687,04

Stebėsenos rodiklių pasiekimai

Eilės numeris Stebėsenos rodiklio pavadinimas Matavimo vienetas Siektina reikšmė pasirašytose projektų sutartyse Pasiekta reikšmė
1 Tyrėjai, kurie dalyvavo ESF veiklose, skirtose mokytis pagal neformaliojo švietimo programas Skaičius 1.00 1.00

Paskutinė atnaujinimo data: 2025-02-16 07:51

Susiję įrašai