Finansavimas

Šiuo projektu planuojama dalyvauti konferencijoje "2018 MRS Spring Meeting & Exhibit", kuri vyks Finikse, JAV. Konferencijoje numatoma pristatyti pranešimą tema: "Galio nitridas ant silicio su erbio oksido pasluoksniu: epitaksinio auginimo technologija ir taikymas fotonikoje". Galio nitridas yra plačiatarpis puslaidininkis, kuris plačiai taikomas didelės galios greitaveikiuose tranzistoriuose, lazeriuose ir šviestukuose. Kadangi tūriniai galio nitridai yra pakankamai brangūs kiekatkūnio apšvietimo taikymuose, didelis dėmesys yra skiriamas GaN ant Si technologijai. Viena iš galimybių siekiant integruoti GaN į silicio technologiją būtų atlikti heteroepitaksinį auginimą įterpiant Er2O3 tarpsluoksnį. Er2O3 sumažina kristalinių gardelių nesutapimus tarp GaN ir Si. Vigi dėl skirtingo pastarųjų medžiagų plėtimosi koeficiento susidaro įtrūkimai, kuomet auginami stori GaN sluoksniai. Įtempiams lokalizuoti, pagrindo paviršiuje gali būti formuojami įvairūs dariniai, kurie leidžia vykdyti selektyvią epitaksiją. Tokiu būdu didžioji dalis įtempių relaksuoja tarpuose tarp darinių, o ne heteroepitaksiškai užaugintoje GaN dangoje. Er2O3 tarpsluoksnio and Si panaudojimas atveria naujas GaN taikymo galimybes fotonikoje. Pavyzdžiui, dėl didelio Er2O3 ir Si lūžio rodiklio skirtumo reikia tik kelių pasikartojančių sluoksnių norint suformuoti Bragg veidrodį, kurio atspindys viršytų 60%. Atlikus selektyvią epitaksiją, iš karto galima gauti GaN šviesolaidžių struktūras ant Si. Bragg veidrodžių, GaN bangolaidžių formavimas: teoriniai (baigtinių elementų metodu gauti modeliavimo) bei eksperimentiniai (GaN heteroepitaksijos technologijos) rezultatai bus aptariami pranešime, kurį planuojama pristatyti mokslinėje konferencijoje.