Finansavimas

Šiuo metu didelis iššūkis yra didelės galios kompaktiški valdomo dažnio kambario temperatūroje veikiantys terahercinio dažnio spinduliuotės šaltiniai. Viena iš intensyviausiai tiek teoriškai tiek eksperimentiškai šiuo metu plėtojamų idėjų yra terahercinio dažnio spinduliavimas dėl puslaidininkyje elektriškai sužadintų elektronų plazmos virpesių. Nedidelės galios spinduliavimas labai žemoje temperartūroje jau buvo pademonstruotas Si ir AlGaAs/GaAs struktūrose. Dėl gerų mechaninių ir elektrinių parametrų GaN yra labai tinkama medžiaga didelės galios plazmoninių THz emiterių kūrimui. Projekto tikslas yra nustatyti ir tyrinėti terahercinio dažnio spinduliavimo kanalus iš nelegiruotų didelio ploto ir didelio elektronų judrio elektriškai kaupinamų AlGaN/GaN heterodarinių. Siekiant minėto tikslo tirsime elektrines AlGaN/GaN savybes, emituojamos THz spinduliuotės galią bei nustatysime optimalius spinduliavimo parametrus. Keičiant eksperimento sąlygas (temperatūrą, įtampą, pridedami išorinį magnetinį lauką) ištirsime emisijos spektrus terahercinių dažnių srityje. Iš šių tyrimų galėsime identifikuoti šalutinę spinduliuotę sukeliančius fizikinius procesus bei stebėti jų dinamiką. Įvertinę spinduliuotės mechanizmus, ieškosime sąlygų dvimačių elektronų plazmos virpesių sąlygotai THz emisijai sukelti.Aukščiau minėtomis veiklomis visų pirma siekiama pagilinti žinias apie puslaidininkių heterosandūrose galimus THz emisijos mechanizmus, bei patobulinti tyrėjo eksperimentinius įgūdžius juos tyrinėjant. Taip pat tikimės gautais rezultatais prisidėti prie THz fizika užsiimančių mokslininkų bendruomenės pastangų kuriant kompaktiškus didelės galios ir keičiamo rezonansinio dažnio terahercinės spinduliuotės šaltinius.