BDAR

Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Slapukų politika Privatumo politika

 


Spausdinti

Finansavimas

Epitaksiškai užauginto erbio oksido ant silicio cheminio ėsdinimo mechanizmo taikymas puslaidininkių technologijoje

Nr. 09.3.3-LMT-K-712-13-0142

Paraiškos būsena:
Baigtas įgyvendinti
Vykdytojas Vilniaus universitetas
Savivaldybė Vilniaus miesto
Priemonė MOKSLININKŲ, KITŲ TYRĖJŲ, STUDENTŲ MOKSLINĖS KOMPETENCIJOS UGDYMAS PER PRAKTINĘ MOKSLINĘ VEIKLĄ
Prioritetas 9 PRIORITETAS. Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas
Kvietimo kodas 09.3.3-LMT-K-712-13

Kristalinis erbio oksidas iš retųjų žemės metalų oksidų grupės išsiskiria savo ypatingomis savybėmis, kurias būtų galima panaudoti naujos kartos puslaidininkių technologijoje. Ši medžiaga turi didelę dielektrinę konstantą, platų draustinės juostos tarpą atspari cheminiam ir terminiam poveikiui. Dėl savo stabilumo erbio oksidas gali būti taikomas kaip pasluoksnis III- grupės nitridų, tokių kaip GaN, InGaN, InN auginimui ant silicio. Kadangi erbio oksido lūžio rodiklis (n=1.8) stipriai skiriasi nuo silicio (n=3.5), erbio oksido/silicio daugiasluoksnės struktūros gali būti taikomos kaip Brego veidrodžiai optoelektroniniuose prietaisuose. Šiuolaikinių prietaisų gamyboje vienas iš etapų yra ėsdinimo procesas. Kol kas nėra atlikta išsamių tyrimų erbio oksido cheminio ėsdinimo srityje. Dėl šios priežasties konferencijos pranešime bus aptartas molekulinio pluoštelio epitaksijos būdu užaugintų sluoksnių cheminis ėsdinimas sieros rūgšties tirpale. Po detalios cheminio ėsdinimo kinetikos analizės bus pateikti optimalūs ėsdinimo parametrai, parodytos gautos struktūros po fotolitografijos ir cheminio ėsdinimo proceso. Galiausiai susisteminus visus rezultatus bus pristatytas cheminio ėsdinimo mechanizmas, jo kontrolė atominiame lygyje. Suformavus metalo-dielektriko (erbio oksido)-puslaidininkio MDP darinius bus pateiktos jų elektrinės charakteristikos.


Paraiškų informacija

Paraiškos gavimo data: 2018-12-06
Nr. Vertinimo kriterijus Finansavimo statusas Vertinimo balas
1. Tinkamumo vertinimas Taip (2019-04-01)
2. Naudos ir kokybės vertinimas Taip (2019-04-01) 73.50
Paraiškoje nurodyta projekto vertė: 3 756,15 Eur
Prašoma finansavimo suma: 3 756,15 Eur

Sutarties informacija

Projekto veiklų įgyvendinimo pradžia: 2019-04-20
Projekto veiklų įgyvendinimo pabaiga: 2019-05-09
Sutarties pasirašymo diena: 2019-05-09
Sutarties galiojimo pabaiga: 2019-11-14
Projekto išlaidų suma, Eur Finansavimas, Eur Apmokėta išlaidų suma, Eur Išmokėtas finansavimas, Eur
3 756,15 3 756,15 3 756,15 3 756,15

Stebėsenos rodiklių pasiekimai

Eilės numeris Stebėsenos rodiklio pavadinimas Matavimo vienetas Siektina reikšmė pasirašytose projektų sutartyse Pasiekta reikšmė
1 Į užsienį panaudojant ESF investicijas tobulinti profesinių žinių išvykę tyrėjai Skaičius 1.00 1.00

Paskutinė atnaujinimo data: 2026-02-28 07:52

Susiję įrašai