Finansavimas

Projekto tikslas – mokslininkų, tyrėjų bei studentų mokslinės kvalifikacijos tobulinimas bei kompetencijos ugdymas per naujų fotoninių darinių IR šaltinių kūrimą. Projektas spręs pagrindinį uždavinį: sukurti ir ištirti naujus fotoniniais kristalais ir metamedžiagomis (toliau, fotoniniai dariniai) valdomus fiksuoto bangos ilgio IR artimo ir vidurio spektro (1.5 - 6 mkm) spinduliuotės GaN/AlGaN ir GaInN/AlInN šaltinius (Q > 70). Projekte planuojamos vykdyti dvi veiklos. Pirma veikla, tai darinių technologiniai tyrimai ir charakterizavimas. Jos metu bus auginami daugiasluoksniai GaN/AlGaN kvantinių duobių dariniai su skirtinga aliuminio koncentracija barjeruose (20-100%), atliekama draustinio tarpo inžinerija su gradientiniais ar laiptuotais Al kiekio pasiskirstymais. Bus atliekamas suporuotų GaN/AlGaN bei GaInN/AlInN kvantinių duobių auginimas, taip pat, ir impulsinis pastarojo auginimas. Antra veikla, tai fotoninių darinių formavimas bei pritaikymas IR spinduliuotės ištrūkai bei valdymui. Jos metu bus modeliuojami ir projektuojami vienmačiai ir dvimačiai fotoniniai kristalai, metamedžiagų gardelės. IR šaltinio efektyvumą bei spektrinį selektyvumą tikimasi pagerinti pirmą kartą suformavus naujoviškas, laidžias, be-metales GaN kvantines metamedžiagas (dviejų GaN kvantinių duobių pagrindu) bei sužadinus juose paviršinius plazmonus. Vidujuostiniai plazmonai bus žadinami ir tiriami formuojant kvantinę metamedžiagą iš pačių kvantinių duobių. Bus atliekami filtravimo, fokusavimo, kampinio nukreipimo (vertikali konfigūracija) ar išilginio sklidimo, įvedimo į bangolaidį (horizontali konfigūracija) tyrimai. Bus išbandomi įvairūs šaltinių kaupinimo (kvantinių lygmenų užpildos elektronais inversija) atvejai: terminis, optinis bei elektrinis. Planuojamai rezultatai: tyrėjų kvalifikacijos pakėlimas, mokslinių rezultatų viešinimas tarptautiniuose periodiniuose mokslo leidiniuose bei pranešimuose tarptautinėse mokslinėse konferencijose, taip pat, Research Gate tinkle ir per EPIC tar