Finansavimas

Teikiamo projekto tikslas yra artimosios infraraudonosios srities (NIR) šaltinių - lazerių su GaAsBi kvantinių darinių aktyviąja terpe - technologijos išvystymas ir dizaino optimizavimas. Projekte bus fokusuojamasi į daugybinių GaAsBi kvantinių duobių, liuminescuojančių 1,0 - 1,3 µm bangos ilgių ruože, technologiją naudojant molekulinių pluoštelių epitaksiją. Projekto vykdymo metu bus auginamos skirtingos GaAsBi lazerinės struktūros: optiškai kaupinami paviršiuje spinduliuojantys puslaidininkiniai lazeriai (VECSEL) ir elektriškai kaupinami iš krašto emituojantys lazeriniai diodai (Fabry-Perot tipo). Skirtingo dizaino bei auginimo sąlygų lazerinės struktūros bus charakterizuojamos Rentgeno spindulių difrakcijos, fotoliuminescencijos, atominių jėgų mikroskopijos, skenuojančiosios elektronų mikroskopijos ir peršviečiamosios elektronų mikroskopijos tyrimais siekiant nustatyti technologinių parametrų ir lazerio charakteristikų sąryšį. Šie spinduliuotės šaltiniai galėtų būti panaudojami aplinkosaugoje atmosferos užterštumo, „žaliųjų“ namų stebėsenai, oro ir vandens taršos matavimui. Ateities taikymai taip pat siejami su medicininėmis spektroskopinėmis sistemomis ir biojutikliais neinvaziniam ligų atpažinimui ir vaizdinimui, maisto pramone, siekiant aptikti itin mažas toksiškų bioproduktų dozes.