BDAR

Jūsų asmens duomenų valdymas.

Siekdami užtikrinti geriausią Jūsų naršymo patirtį, šioje svetainėje naudojame slapukus (angl. cookies). Naršydami toliau patvirtinsite savo sutikimą naudoti slapukus. Savo sutikimą bet kada galėsite atšaukti pakeisdami interneto naršyklės nustatymus ir ištrindami įrašytus slapukus.

Slapukų politika Privatumo politika

 


Spausdinti

Finansavimas

Kaitinimo įtaka tiesiogiai ant Si(100) sintezuoto grafeno struktūrai

Nr. 09.3.3-LMT-K-712-15-0076

Paraiškos būsena:
Baigtas įgyvendinti
Vykdytojas Kauno technologijos universitetas
Savivaldybė
Priemonė MOKSLININKŲ, KITŲ TYRĖJŲ, STUDENTŲ MOKSLINĖS KOMPETENCIJOS UGDYMAS PER PRAKTINĘ MOKSLINĘ VEIKLĄ
Prioritetas 9 PRIORITETAS. Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas
Kvietimo kodas 09.3.3-LMT-K-712-15

Žymiausia 2D nanomedžiaga, grafenas, pasižymi milžiniškais elektronų ir skylių judriais, krūvininkų dauginimu, topologinės energijos juostų inžinerijos ir kvantinės interferencijos galimybe, lankstumu, skaidrumu, cheminiu inertiškumu. Tarp gausybės galimų taikymų grafenas bandomas naudoti ir įvairių itin sparčių elektroninių prietaisų bei itin didelio jautrumo fotojutiklių gamybai. Grafenas užauginamas ant Cu ar Ni folijos arba ekstrafoliuojamas. Toliau vykdomas ilgas grafeno pernešimo ant puslaidininkio ar dielektriko paviršiaus procesas. Tai komplikuota ir sudėtinga technologija, labai apsunkinanti grafeno/puslaidininkio (dielektriko) tarpinio kontakto savybių ir, tuo pačiu, puslaidininkinio prietaiso darbinių charakteristikų, kontrolę.Neseniai parodyta, kad grafeno sluoksnį galima tiesiogiai užauginti ant dielektrinių arba puslaidininkinių pagrindų, naudojant plazma aktyvuotą cheminį nusodinimą iš garų fazės. Tačiau kol kas šios technologijos yra užuomazgoje. Taip sinetzuotas grafenas pasižymi dideliu struktūrinių defektų tanki. Šie defektai, savo ruožtu, mažina krūvininkų judrį grafene ir didina grafeno savitąją varžą. Šiame darbe bus bandoma sumažinti defektų tankį tiesiogiai sintezuotame grafene, po užauginimo grafeną papildomai kaitinant įvairiose aplinkose. Raman‘o sklaidos spektroskopijos būdu ir matuojant atspindžio spektrą bus tiriama kaitinimo įtaka bandinių struktūrai bei grafeno sluoksnių storiui. Projekto tikslas yra kaitinimo įtakos įvairiom sąlygom plazma aktyvuoto cheminio nusodinimo iš garų fazės būdu tiesiogiai ant Si(100) užauginto grafeno struktūrai tyrimas.


Paraiškų informacija

Paraiškos gavimo data: 2019-03-18
Nr. Vertinimo kriterijus Finansavimo statusas Vertinimo balas
1. Tinkamumo vertinimas Taip (2019-06-11)
2. Naudos ir kokybės vertinimas Taip (2019-06-11) 92.00
Paraiškoje nurodyta projekto vertė: 1 877,93 Eur
Prašoma finansavimo suma: 1 877,93 Eur

Sutarties informacija

Projekto veiklų įgyvendinimo pabaiga: 2019-08-31
Sutarties pasirašymo diena: 2019-07-01
Sutarties galiojimo pabaiga: 2019-12-06
Projekto išlaidų suma, Eur Finansavimas, Eur Apmokėta išlaidų suma, Eur Išmokėtas finansavimas, Eur
1 877,93 1 877,93 1 877,93 1 877,93

Stebėsenos rodiklių pasiekimai

Eilės numeris Stebėsenos rodiklio pavadinimas Matavimo vienetas Siektina reikšmė pasirašytose projektų sutartyse Pasiekta reikšmė
1 Tyrėjai, kurie dalyvavo ESF veiklose, skirtose mokytis pagal neformaliojo švietimo programas Skaičius 1.00 1.00

Paskutinė atnaujinimo data: 2025-01-25 07:54

Susiję įrašai