Paraiškos būsena:
Nesudaryta sutartis
Galio nitrido puslaidininkis vis labiau įsitvirtina antroje pozicijoje pagal svarbumą po silicio. Dėl savo patikimumo, ilgaamžiškumo ir didelio efektyvumo pastaruoju metu šviestukai su aktyviu InGaN sluoksniu sulaukė naujo atgimimo. Atsiradus efektyviai technologijai, suformuotas nedidelių matmenų mezostruktūras perkelti ant polimero, kietakūnių šviestukų matricos tapo lanksčios, užkariaudamos naujas rinkas. Kaip ir daugelyje pasaulinių laboratorijų Vilniaus universiteto Fotonikos ir natotechnologijų institute (VUFNI) geriausiai yra išvystyta GaN šviestuko struktūra su aktyvia InGaN kvantinių duobių sritimi. Tokia struktūra VUFNI laboratorijoje epitaksiškai auginama cheminiu nusodinimu iš metalorganikos garų fazės metodu ant safyro pagrindo.
Darbe didelis dėmesys bus skirtas progresyvios šviestuko mezostruktūros dizaino kūrimui, užaugintos epitaksinės struktūros fabrikavimui bei charakterizavimui. Suprojektavus ir pagaminus mezostruktūros kaukes, šviestukas bus gaminamas iš VUFNI laboratorijoje užaugintų epitaksinių sluoksnių taikant modifikuotą optinę litografiją, reaktyvų joninį ėsdinimą bei garinimą elektronų pluošteliu. Suformuotos mezostruktūros, užgarintų kontaktų kokybės kontrolė bus vykdoma optiniu bei skenuojančiu elektroniniu mikroskopu. Galutiniame etape bus išmatuota suformuoto prietaiso voltamperinė charakteristika ir elektroliuminescensija.
Paraiškų informacija
Paraiškos gavimo data:
2018-07-18
| Nr. Vertinimo kriterijus |
Finansavimo statusas |
Vertinimo balas |
|
1. Tinkamumo vertinimas
|
Taip
(2018-09-17)
|
|
|
2. Naudos ir kokybės vertinimas
|
Ne
(2018-09-17)
|
59.00
|
Paraiškoje nurodyta projekto vertė:
2 839,05 Eur
Prašoma finansavimo suma:
2 839,05 Eur
Sutarties informacija
| Projekto išlaidų suma, Eur |
Finansavimas, Eur |
Apmokėta išlaidų suma, Eur
|
Išmokėtas finansavimas, Eur
|
|
0,00
|
0,00
|
0,00
|
0,00
|
