Finansavimas

III - grupės nitridiniai puslaidininkiai ((Ga, In, Al) N)) šiuo metu yra sėkmingai naudojami baltų šviestukų, didelės galios ir dažnio elektronikos prietaisų (diodų, tranzistorių) gaminimui. Bet visos komercinių prietaisų struktūros yra auginamos ant Ga-poliškumo GaN ruošinių arba tūrinių GaN padėklų. Ant N-poliškumo GaN ruošinių dėl kitokių auginimo sąlygų užaugintos atitinkamos prietaisų struktūros leistų pagaminti dar greitesnius ir galingesnius tranzistorius, butų galima pagaminti tunelinį diodą, fotodetektoriai būtų jautresni ir greitesni, radikaliai būtų padidintas nitridinių saulės elementų efektyvumas. Deja, N-poliškumo GaN ruošinių auginimas sudėtingas ir kol kas yra tyrimų stadijoje. Šiame projekte bus formuojamas N-poliškumo GaN ruošinio auginimo protokolas, skirtas MOCVD reaktoriui. Technologinių tyrimų metu bus atliekama protokole numatytų technologinių procesų parametrų optimizacija. N-poliškumo GaN ruošinio elektrinės savybės bus tiriamos Holo efekto matavimo įranga, atskirų kristalo auginimo etapų eiga ir galutinio sluoksnio paviršiaus struktūrinės savybės bus tiriamos optiniu ir skenuojančiu elektronų mikroskopais.