Finansavimas

III - grupės nitridų puslaidininkiai ((Ga, In, Al) N)) šiuo metu yra sėkmingai naudojami baltų šviestukų, didelės galios ir dažnio elektronikos prietaisų (diodų, tranzistorių) gaminimui. Bet dauguma komercinių prietaisų struktūrų yra auginamos ant Ga-poliškumo GaN ruošinių arba tūrinių GaN padėklų. Ant N-poliškumo GaN ruošinių dėl kitokių auginimo sąlygų užaugintos atitinkamos prietaisų struktūros leistų pagaminti dar greitesnius ir galingesnius tranzistorius, butų galima pagaminti tunelinį diodą, fotodetektoriai būtų jautresni ir greitesni, radikaliai būtų padidintas nitridinių saulės elementų efektyvumas. Deja, N-poliškumo nitridų kristalinių sluoksnių auginimas sudėtingas ir kol kas yra tyrimų stadijoje. Šiame projekte bus kuriami ir optimizuojami N-poliškumo GaN ir InN kristalinių sluoksnių MOVPE auginimo receptai. Tyrimų metu bus atliekama technologinių procesų parametrų optimizacija. N-poliškumo GaN ir InN sluoksnių elektrinės savybės bus tiriamos Holo efekto matavimo įranga, atskirų kristalo auginimo etapų eiga ir galutinio sluoksnio paviršiaus struktūrinės savybės bus tiriamos optiniu ir skenuojančiu elektronų mikroskopais.