Finansavimas

Projektas skirtas nanodarinių su bismuto turinčių medžiagų sluoksniais auginimo technologijos sukūrimui, jų fizikinių savybių tyrimui ir galimų taikymų paieškai. Bus tiriamos dvi objektų grupės: kvantinės duobės su trnarių ar keturnarių bismidų sluoksniais svarbios infraraudonosios (IR) optoelektronikos komponentams bei dariniai su elementinio bismuto bei dvinarių bismidų sluoksniais, svarbios naujų topologinių izoliatorių faze pasižyminčių medžiagų paieškoje. Derinant optinės spektroskopijos ir terahercinių impulsų žadinimo spektroskopijos rezultatus bus nustatyti elektronų energijos juostų trūkiai ribose tarp bismuto turinčių puslaidininkių ir kitų A3B5 grupės medžiagų sluoksnių ir nustatyti optimalūs I ir II tipo kvantinėms duobėms, skirtoms vidutinio infraraudonojo diapazono spinduliuotės šaltiniams, reikalingi sluoksnių sąstatai. Molekulių pluoštelių epitaksijos būdu bus užauginti tokių šaltinių dariniai, pagaminti bei ištirti šių prietaisų prototipai. Naudojant molekulių pluoštelių epitaksiją ir atominių sluoksnių nusodinimą bus užauginti elementinio bismuto ir dvinario AlBi nanosluoksniai bei nanodariniai su kais, ištirtos jų fizikinės charakteristikos ir numatytos praktinio panaudojimo perspektyvos.