Finansavimas

Projektas yra skirtas ugdyti studentų gebėjimus vykdant tyrimus semestro metu. Projekto metu bus ištirta taškinių ir linijinių defektų sąveika heksagoniniame boro nitride (h-BN) naudojant klasikinius sąveikos potencialus ir molekulinę dinamiką. h-BN ir kitų dvimačių (2D) ir sluoksniuotų (angl. layered) medžiagų tyrimai ir panaudojimas naujos kartos elektronikos ir optoelektronikos prietaisuose yra daug dėmesio sulaukianti tyrimų tema. Neseniai atrasta pavienių fotonų emisija iš defektų atveria galimybes pritaikyti h-BN kvantinei kompiuterijai, kvantinei komunikacijai ir kvantinei metrologijai. Deja, iki šiol vyksta diskusijos dėl tikslaus h-BN pavienių fotonų emisijos mechanizmo. Žinant šios pavienių fotonų emisijos mechanizmą, būtų galima kurti ir optimizuoti kompaktiškus ir efektyvius kvantinės optoelektronikos prietaisus. Cheminio nusodinimo iš garų fazės (CVD) metu, auginant h-BN neišvengiamai atsiranda taškinių defektų, dislokacijų, kristalinių domenų ribų, o eksperimentiniai rezultatai rodo kvantinę emisiją srityse, kuriose yra šie defektai. Projekto metu studentas pereis prie sudėtingesnių h-BN sistemų modeliavimo darbų, įgaus praktinių įgūdžių dirbti su molekulinės dinamikos simuliacijų programomis ir įgaus žinių apie taškinių ir linijinių defektų sąveikas. Šie rezultatai duos svarbių įžvalgų apie egzistuojančius efektus tiriamose ir leisti priartėti prie kvantinės emisijos mechanizmo atradimo. Projektas padės studentui įgauti daugiau mokslinių žinių bei įgūdžių studijų metu ir tęsti pradėtus darbus Lietuvoje.