Finansavimas

ĮĮgyvendinant projektą bus siekiama praplėsti, pagilinti stažuotojo žinias plačiatarpių puslaidininkių ir organinių darinių tyrimų baruose. Taip pat bus įsisavintos nesąlytinių tyrimų metodikos, tokios kaip PPIS defektų spektroskopija bei dinaminių gardelių metodas. Sandūrinių struktūrų tyrimuose būtų kombinuojamos TCT ir BELIV profiliavimo metodikos. Projekte būtų atskleista technologinių defektų silicio padėkle ir AlN bei Al(x)Ga(1-x)N sąsajų sluoksniuose įtaka epi- GaN sluoksnio defektų susidarymui ir krūvininkų rekombinacijos bei transporto parametrų kaitai aukštų sužadinimų srityje GaN/Si struktūrose, o taip pat įvertinta sandūrinių darinių parametrų kaita. Taip pat planuojama patikslinti krūvininku dreifo organiniuose dariniuose, matuojamų skirtingomis metodikomis, parametrus keičiantis bandinių storiui, sužadinimo spektrui bei tankiui. Būtų atskleisti bendrieji krūvininkų transporto ir rekombinacijos dėsningumai neorganiniuose ir organiniuose nano-elektronikos dariniuose su išplitusiais defektais (DN, CT) aukštųjų sužadinimų srityje ir, tuo būdu, ženkliai padidintos stažuotojo kompetencijos modernių elektroninių darinių tyrimuose bei įsisavintos naujos tyrimo metodikos. GaN/Si bei BF įvairių struktūrų tyrimai, leidžiantys susieti technologinius gamybos režimus su rekombinacijos ir transporto charakteristikomis bei defektų inžinerijos būdais, leistų sukurti naujas struktūras Medžiagų inžinerijos kryptyje. Medžiagų charakterizavimui būtų aprobuoti kombinuoti tyrimų metodai, taip prisidedant prie Matavimų inžinerijos krypties raidos.