Finansavimas

Dvimatė nanomedžiaga grafenas, susidedanti iš vieno arba kelių grafito atominių sluoksnių, susilaukė didelio mokslininkų susidomėjimo. Ši anglies atmaina pasižymi itin dideliu elektronų ir skylių judriu, galinčiu siekti iki 350 000 cm2 V–1 s–1. Tačiau grafenas kaip galima nauja puslaidininkinė medžiaga turi svarbų trūkumą - šios medžiagos draustinės juostos plotis yra 0 eV. Siekiant atverti grafene draustinę juostą, yra bandomos įvairios legiravimo technologijos. Tačiau grafeną legiruojant mažėja krūvininkų judris. Įvairių defektų atsiradimas taip gali paveikti krūvininkų judrio grafene vertes. Grafeno sluoksniai ant puslaidininkių ar dielektrikų formuojami pernešimo būdu. Grafenas užauginamas ant Cu ar Ni folijos cheminio nusodinimo iš garų fazės būdu. Toliau vykdomas ilgas grafeno pernešimo ant puslaidininkio ar dielektriko paviršiaus procesas. Tai komplikuota ir sudėtinga technologija, labai apsunkinanti grafeno ir puslaidininkio (dielektriko) interfeiso savybių kontrolę. Neseniai parodyta, kad grafeno sluoksnį galima tiesiogiai užauginti ant dielektrinių arba puslaidininkinių pagrindų plazma aktyvuoto cheminio nusodinimo iš garų fazės būdu. Tačiau kol kas šios technologijos yra užuomazgoje. Tačiau tiesiogiai sintezuoto grafeno savybės yra tirtos daug mažiau nei pernešto grafeno. Tarkime, trūksta duomenų apie tiesiogiai sintezuoto grafeno judrį. Todėl šio darbo tikslas yra mikrobange plazma aktyvuoto cheminio nusodinimo iš garų fazės būdu tiesiogiai sintezuoto grafeno bandinių judrio tyrimas. Bus tiriamas grafenas tiesiogiai sintezuotas ant terminio SiO2 sluoksniu padengtų Si(100) pagrindų. Grafeno struktūra bus įvertinta Raman‘o sklaidos spektroskopijos būdu (Raman’o spektroskopinis mikroskopas Raman microscope inVia (Renishaw)) ir atominių jėgų mikroskopu. Judrio matavimams bus suformuotos grafeno tranzistorinės struktūros. Judris bus įvertinamas lauko efekto būdu, analizuojant pikoampermetru išmatuotas voltamperines charakteristikas.